에칭 첨가제
극미세 패턴 정밀도와 고두께 Copper(Cu) 에칭 안정성을 동시에 갖춘 차세대 에칭 첨가제
| 항목 | before |
|---|---|
| Etching Factor | 5 이하 / 낮은 회로 정밀도 제한 |
| 미세 회로 구현성 | 라운딩 및 패턴 불균일 발생 가능 |
| Cu 두께 적용 범위 | 일부 두께에서 패턴 균일성 저하 |
| 용액 흐름 특성 | 낮은 유동성으로 패턴 손실 우려 |
| Uniformity | 용액 확산 지연에 따른 균일성 저하 |
| 임피던스 영향 | 고속 신호 전달에 한계 발생 가능 |
| After (EF-MAX) |
|---|
| 50 이상 / 정밀 회로 구현에 유리 |
| Fine pitch 구현에 최적화된 패턴 구현 |
| 전 두께 영역에서 안정적인 품질 확보 |
| 우수한 유동성으로 패턴 손실 최소화 |
| 고기능 Wetting으로 액 분포 균일성 우수 |
| 임피던스 5% 이상 감소, 설계 반영 용이 |
Mechanism
EF - MAX MECHANISM
Cu 표면에 에칭 첨가제 흡착
첨가제 흡착으로 억제층 형성
스프레이 압력에 의해 바닥부 억제층 파괴
| 에칭 첨가제 | ||
| 표면에 흡착된 억제층(Inhibitor layer)을 형성하여 측면 부식 억제함으로써 불필요한 언더컷을 방지 |
EF - MAX EVALUATION
Fine pitch / Cu Thickness : 17 ㎛
Line / Space / Pitch : 30 ㎛ / 35 ㎛ / 65 ㎛
| Fresh (Before) |
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| Etch Factor | 2.04 | 2.14 | 2.73 | 2.65 |
|---|---|---|---|---|
| EF-MAX (After) |
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| Etch Factor | 63.47 | ∞ | 63.47 | 95.14 |
Fine pitch / Cu Thickness : 20 ㎛
Line / Space / Pitch : 25 ㎛ / 35 ㎛ / 60 ㎛
| Fresh (Before) |
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| Etch Factor | 2.19 | 2.37 | 2.59 | 2.29 |
|---|---|---|---|---|
| EF-MAX (After) |
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| Etch Factor | ∞ | ∞ | 58.25 | ∞ |
Fine pitch / Cu Thickness : 25 ㎛
Line / Space / Pitch : 37 ㎛ / 45 ㎛ / 82 ㎛
| Fresh (Before) |
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| Etch Factor | 3.50 | 3.63 | 3.45 | 3.49 |
|---|---|---|---|---|
| EF-MAX (After) |
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| Etch Factor | ∞ | ∞ | 54.95 | ∞ |
Fine pitch / Cu Thickness : 35 ㎛
Line / Space / Pitch : 50 ㎛ / 50 ㎛ / 100 ㎛
| Fresh (Before) |
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| Etch Factor | 5.43 | 5.52 | 4.71 | 3.92 |
|---|---|---|---|---|
| EF-MAX (After) |
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| Etch Factor | ∞ | ∞ | ∞ | ∞ |
Fine / Cu Thickness : 50 ㎛
Line / Space / Pitch : 50 ㎛ / 50 ㎛ / 100 ㎛
| Fresh (Before) |
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| Etch Factor | 10.73 | 10.49 | 10.46 | 11.12 |
|---|---|---|---|---|
| EF-MAX (After) |
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| Etch Factor |
Fine / Cu Thickness : 65 ㎛
Line / Space / Pitch : 50 ㎛ / 50 ㎛ / 100 ㎛
| Fresh (Before) |
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| Etch Factor | 6.00 | 5.36 | 5.56 | 5.67 |
|---|---|---|---|---|
| EF-MAX (After) |
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| Etch Factor | 45.97 | 62.46 | 86.24 | 42.80 |
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